檢索結果：共11筆資料 檢索策略： "Kuei-Yi Lee".ecommittee (精準) and ckeyword.raw="氧化鋅"
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本研究以反應式離子束濺鍍沉積摻氮氧化鋅薄膜，以鋅為靶材，同時通入氬氣、氧氣及氮氣，固定氬氣流量，探討氧氣和氮氣流量對摻氮氧化鋅薄膜的特性研究。實驗結果顯示當氧氣流量介於0.5 ~ 2.0 sccm，…
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此實驗使用反應式離子束濺鍍法沉積摻氮氧化鋅薄膜，採用陽極層離子源，以鋅為靶材，同時通入氬氣、氧氣及氮氣，探討氧/氮流量對摻氮氧氧化鋅薄膜的特性影響。實驗結果顯示在氧流量0.5 ~ 4.0 sccm，…
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本文使用反應式離子束濺鍍沉積法，在晶向(100)的矽基板上成長氧化鋅薄膜，觀察不同成長溫度、氧通量和基板偏壓對薄膜造成的影響。300℃時，有弱的近能隙發光和強的綠光缺陷發光；500℃時，有強的近能隙…
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本文藉由改變離子束轟擊角度，使Si (100) 基板表面產生不同波長之波紋形貌；使用反應式離子束濺鍍法成長氧化鋅奈米粒子，經由改變成長時間、基板溫度，討論最佳奈米粒子成長參數；最後將奈米粒子分別沉積…
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本實驗為利用離子束能量8、12以及16 keV 沉積不同表面粗糙度的鋅薄膜，再以330、380、400以及420 ℃熱氧化成長氧化鋅奈米線。實驗結果發現只有在離子束能量為12 keV 所沉積的鋅薄膜…
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以離子濺鍍法，在沈積氧化鋅薄膜同時，除了通入氬氣作為轟擊靶材之離子源，也直接加入氮氣，可將氮摻雜到氧化鋅薄膜，形成摻氮氧化鋅(ZnO:N)。以XRD分析成長溫度為300C之摻氮氧化鋅薄膜中只有氧化…
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本研究探討以離子束濺鍍法，沉積摻鉺氧化鋅薄膜(Erbium-doped ZnO, EZO)之特性。我們以層狀方式沉積EZO薄膜，藉退火使鉺與氧化鋅混合。實驗中，成功的以325 nm之He-Cd雷射，…
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鉺摻雜氧化鋅已經由氣相轉換的過程製備。氧化鋅粉末、石墨粉末和氧化鉺的粉末混合置於高溫爐管中，然後加熱至1000°C並持溫1小時。摻鉺的氧化鋅沉積於接近混合粉末的矽基板上。摻鉺的氧化鋅樣品則用場發射掃…
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使用毛細式離子源濺鍍氧化鋅靶，沉積氧化鋅薄膜於晶向(100)矽基板上，隨後於氧與氮氣氛下退火，討論不同退火條件對氧化鋅薄膜特性之影響。 XRD顯示未退火之氧化鋅薄膜無任何繞射峰值，ZnO(002)繞…
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本實驗首先利用熱氧化法400˚C製備出氧化銅奈米線，接著以熱蒸鍍法將氧化鋅沉積到氧化銅奈米線上，形成異質結構，經過不同的退火時間，探討其光伏特性的應用。在FESEM的結果顯示出，氧化鋅將氧化銅奈米線…